化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)集中了化學(xué)拋光和機(jī)械拋光的綜合優(yōu)點(diǎn)，純粹化學(xué)拋光腐蝕性大，拋光速率大，損傷低，表面光潔度高，但是拋光后的表面平整度差和表面一致性差；純粹的機(jī)械拋光表面平整度和表面一致性較高，但是表面損傷大，光潔度低。而化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)在不影響拋光速率的前提下，既可以獲得光潔度較高的表面，又可以提高表面平整度，是迄今*可以提供整體平面化的表面精加工技術(shù)。目前國(guó)內(nèi)外常用的拋光液有SiO2膠體拋光液、二氧化鈰拋光液、氧化鋁拋光液、納米金剛石拋光液等。  

    （一）SiO2膠體拋光液。二氧化硅膠體拋光液是以高純度的硅粉為原料，經(jīng)過(guò)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度金屬離子型拋光產(chǎn)品。廣泛用于多種納米材料的高平坦化拋光，如硅片、化合物晶體、精密光學(xué)器件、寶石等的拋光加工。由于二氧化硅粒度很細(xì)，約0.01-0.1μm，因此拋光工件表面的損傷層極微；另外，二氧化硅的硬度和硅片的硬度相近，因此常用于對(duì)半導(dǎo)體硅片的拋光。二氧化硅是拋光液的重要組成部分，其粒徑大小、致密度、分散度等因素直接影響化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)的速率和拋光質(zhì)量。因此二氧化硅膠體的制備也是拋光液中*的工藝。  

    （二）氧化鈰拋光液。二氧化鈰是玻璃拋光的通用磨削材料。隨著工件尺寸的縮小，傳統(tǒng)的硅容易在尺寸較大的集成電路STI（淺溝隔離）處形成蝶形缺陷。而針對(duì)STI的拋光，選擇合適的拋光液是關(guān)鍵，采用氧化鈰作為研磨顆粒的第二代拋光液，具有高選擇性和拋光終點(diǎn)自動(dòng)停止的特性，配合粗拋和精拋，能拋光液中二氧化鈰的粒度是影響拋光效果的關(guān)鍵參數(shù)之一。目前制備出的二氧化鈰的粒徑多為微米級(jí)或亞微米級(jí)，粒度分布不均，粒徑大的溶液產(chǎn)生劃痕，嚴(yán)重影響到被拋光工件的拋光質(zhì)量。因此，納米級(jí)二氧化鈰的制備及應(yīng)用是目前研究的熱點(diǎn)之一。夠十分有效解決*代STI工藝缺點(diǎn)，是目前重點(diǎn)發(fā)展的產(chǎn)品類(lèi)型之一。  

    （三）氧化鋁拋光液。α-氧化鋁（剛玉）硬度高，穩(wěn)定性好，納米氧化鋁廣泛適用于光學(xué)鏡頭、單芯光纖連接器、微晶玻璃基板、晶體表面等方面的精密拋光，是一種廣泛使用的無(wú)機(jī)磨料?，F(xiàn)在以高亮度GaN基藍(lán)光LED為核心的半導(dǎo)體照明技術(shù)對(duì)照明領(lǐng)域帶來(lái)了很大的沖擊，并成為目前半導(dǎo)體領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。但由于GaN很難制備，必須在其他襯底材料上外延生長(zhǎng)薄膜，作為GaN的襯底材料有多種，目前，藍(lán)光和白光LED芯片均采用藍(lán)寶石晶片或碳化硅晶片為襯底晶片，因此，晶片的拋光也成為關(guān)注的焦點(diǎn)。近年來(lái)，上采用了一種新的工藝，即用Al2O3拋光液一次完成藍(lán)寶石晶片研磨和拋光，大大提高藍(lán)寶石和SiC晶片的拋光效率。